サムスンのフラッシュメモリプロジェクト始動　西安

　サムスン電子のハイエンドフラッシュメモリチップのプロジェクトがこのほど、陝西省西安市の西安ハイテクパークで生産スタートの記念式典を行った。同プロジェクトの第1期投資額は70億ドル（約7134億円）で、中國における外資系投資によるハイテク産業プロジェクトとしては過去最大規模のものだ。西安に整った半導體生産チェーンを構築するため、サムスンは第1期投資以外にも、5億ドル（約509億円）規模の追加投資を行って半導體パッケージ工場の建設を進めており、年內にも完成が予定される。「経済日報」が伝えた。

　サムスンによると、西安の半導體工場が生産をスタートすれば、サムスンは韓國（システムと半導體メモリ）、中國（半導體メモリ）、米國（半導體システム）の協力による「グローバル半導體三大生産基地システム」の構築に成功したことになる。世界規模で半導體生産資源をバランスよく分配することにより、サムスンの國際資産の戦略的配置が実現した。西安の半導體工場が完成すれば、サムスンは中韓両國のNAND型フラッシュメモリのダブル生産システムを通じて、顧客により安定的に製品を供給できるようになる。

　サムスンの西安半導體工場でこれから生産される製品は、サムスンが昨年開発に成功した最新型のフラッシュメモリチップだ。このチップには新しい技術が採用されており、現在の平面を主としたチップの設計が「90度回転」し、立體集積方式が採用されて容量が拡大する。サムスンの権五絃(クオン?オヒョン)代表理事によると、サムスンの西安半導體工場が生産を開始すれば、中國が半導體市場での地位を急速に高める上でプラスになり、また西安に千億元（約1兆6358億円）規模の半導體産業クラスターが徐々に形成されることになるという。（編集KS）

　「人民網日本語版」2014年5月12日