中國(guó)のハイテク産業(yè)の発展にブレーキ？　ZTEに対する米國(guó)の制裁に注目集まる (2)

中國(guó)はハイエンドマイクロチップの自主研究開(kāi)発?製造可能

第13次五カ年計(jì)畫(huà)（2016-20年）國(guó)家重點(diǎn)研究開(kāi)発計(jì)畫(huà)「光電子とマイクロエレクトロニクスの部品、集積回路」の重點(diǎn)特定項(xiàng)目専門(mén)家グループのグループ長(zhǎng)を務(wù)める、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所の祝寧華?副所長(zhǎng)は、「中國(guó)は近年、光電子の分野の科學(xué)技術(shù)革新をサポートしており、豊富な革新的成果を上げている」とする。

祝副所長(zhǎng)によると、國(guó)家ハイテク研究発展計(jì)畫(huà)（863計(jì)畫(huà)）の第12次五カ年計(jì)畫(huà)（2011-15年）だけを見(jiàn)ても、中國(guó)政府は、ブロードバンド通信や高性能コンピューターなどの多くの分野で、光電子の部品に焦點(diǎn)を絞り、取り組みを行っている。「それらの研究開(kāi)発プロジェクトの多くは、將來(lái)に目を向けた取り組みで、中興通訊が今回米國(guó)から輸入できなくなったマイクロチップも、第12次五カ年計(jì)畫(huà)、第13次五カ年計(jì)畫(huà)において関連の計(jì)畫(huà)が策定されている」。

祝副所長(zhǎng)によると、現(xiàn)在、中國(guó)は光電子のハイエンドマイクロチップの研究、開(kāi)発ができる條件を基本的に整えている。自主開(kāi)発、発展を進(jìn)めるために、中國(guó)は08年に集積回路の製造裝置、技術(shù)に焦點(diǎn)を絞った國(guó)家科學(xué)技術(shù)重大特定項(xiàng)目を?qū)g施し、9年間の取り組みを経て、集積回路の製造業(yè)の新體系構(gòu)築に成功した。特定項(xiàng)目が実施される以前、中國(guó)の集積回路の最先端製品技術(shù)は130ナノメートル、研究開(kāi)発されている技術(shù)は90ナノメートルだった。しかし9年で、中國(guó)の主流技術(shù)の水準(zhǔn)は5プロセス向上し、55、40、28ナノメートルの研究開(kāi)発に成功し、量産できるようになった。また、22、14ナノメートルの最先端技術(shù)研究開(kāi)発でも大きな成果を上げ、14ナノメートルのエッチング裝置、ナノ要素集合薄膜など、30種類(lèi)以上のハイエンド裝置や、ターゲット材、磨き液などの百種類(lèi)以上の材料、製品の研究、開(kāi)発に成功し、その性能は世界最先端となっている。（編集KN）

「人民網(wǎng)日本語(yǔ)版」2018年4月24日