新型二次元材料半導體量子トランジスタ、中日が共同開発

中國科學技術大學の郭國平教授の研究チームは、日本國立材料研究所などの學者と協力し、世界で初めて半導體柔軟性二次元材料內で100％電気制御可能な量子ドット構造を実現した。この新型半導體量子トランジスタは、柔軟性量子チップの開発に新たな手段を提供した。世界的に権威ある米科學誌「サイエンス?アドバンシズ」に、この成果が掲載された。新華社が伝えた。

彼らは現代的半導體加工手段を用い、窒化ホウ素パッケージング技術と結びつけることで、量子ドット構造內の異物と欠陥を効果的に減らし、この材料內で初めて100％電気制御可能なデュアル量子ドット構造を実現した。極端な低溫環境下、電極と電圧を通じ、人造原子の人造分子への電気制御及び調整を実現した。

同研究は二酸化モリブデンの短距離欠陥と、スピン軌道カップリングの電気輸送性質への影響を示し、半導體量子チップに応用する可能性を探究しており、量子電子學において高い將來性を持つと見られている。（編集YF）

「人民網日本語版」2017年10月26日